电子科技大学:自支撑Ni3S2纳米片阵列用于高能量密度的非对称超级电容器


【引言】

作为新能源的代表之一,超级电容器在解决全球能源问题的持久战中发挥着非常重要的作用。为了实现它在多种领域的应用,努力提高其能量密度以能与电池系统相媲美,是提高超级电容器性能的具有挑战性的任务之一。其中,赝电容器依靠快速的法拉第反应来储存和释放电荷,通常显示出比双电层电容器更高的容量。然而,在赝电容器中,大多数金属氧化物和氢氧化物具有半导体或绝缘体的特性,因此此类电极材料必须巧妙地设计,以实现赝电容器的最佳能量输出。

【成果简介】

2016年12月15日,ACS Applied Materials & Interfaces发表题为“合理设计地自支撑Ni3S2纳米片阵列用于超高能量密度的先进非对称超级电容器”Rational Design of Self-Supported Ni3S2 Nanosheets Array for Advanced Asymmetric Supercapacitor with a Superior Energy Density的研究论文,通讯作者为电子科技大学的陈俊松教授和新加坡国立大学的D. J. Blackwood教授。本文亮点:在本工作中,作者通过对活性物质的纳米结构进行控制,以及对其化学组分进行改性,合理地设计出一套完整的合成体系,成功制备了直接生长于泡沫镍基底上的自支撑Ni3S2纳米片阵列。该材料在三电极体系中于50 A g-1的极高电流密度下表现出的可逆容量高达1000 F g-1,并且循环20000次以后并没有明显的衰竭。随后,本材料在与活性炭组成的不对称电容器(ASC)中体现出了高达202 W h kg-1的能量密度。

【图文导读】

方案1. α- Ni(OH)2和Ni3S2的生长示意图

第一步是一个在60°C低温湿化学过程,以2-甲基咪唑(2-MI)为结构导向剂,使α- Ni(OH)2纳米片生长在泡沫镍基底上。第二步通过水热硫化处理使α- Ni(OH)2转化为为纯相Ni3S2。这个过程也会将泡沫镍基底的表层转化为Ni3S2,以作为Ni3S2纳米片与泡沫镍基底之间的重要连接,建立一个高效的电子扩散路径。

图1. α- Ni(OH)2纳米片(Ni(OH)2@Ni)的表征结果

α- Ni(OH)2纳米片具有较高的结构柔和度,紧密而又整齐地排列在泡沫镍基底上,形成了一个完整的平均厚度为1.4 μm的薄膜。

(A-C)为α- Ni(OH)2纳米片的SEM 图像,(B)的插入图为α- Ni(OH)2纳米片的放大图;

(D)为α- Ni(OH)2纳米片的TEM图像,插入照片显示了含有α- Ni(OH)2纳米片的胶体悬浮液具有丁达尔现象;

(E)为α- Ni(OH)2纳米片的HRTEM图像;

(F)为无泡沫镍支撑的α- Ni(OH)2纳米片的XRD图。

图2. Ni3S2纳米片(Ni3S2@Ni)的形貌表征结果

Ni(OH)2的二维纳米结构在硫化后仍得到了很好的保持,体现出了该材料较高的结构稳定性。改性后的Ni3S2纳米片表面具有微小的皱纹状结构。

(A-D)为Ni3S2@Ni的SEM图像;

(E)为从泡沫镍基底上分离的Ni3S2纳米片的TEM图像;

(F)为从泡沫镍基底上分离的Ni3S2纳米片的HRTEM图像。

图3. Ni3S2@Ni的成份表征结果

通过水热硫化法制备的Ni3S2@Ni具有良好的结晶性。

(A)为Ni3S2@Ni的XRD图,证明制备的材料为菱形Ni3S2且结晶度较高;

(B)为Ni3S2@Ni的XPS图谱,证明Ni3S2中Ni的氧化态;

(C)为Ni3S2@Ni的拉曼光谱。

图4. 三电极体系中Ni3S2@Ni的电容性能

Ni3S2@Ni的电容量大,循环周期长,能量密度高。其性能优越于大多数已报道的镍基材料。

(A)为不同扫描速率下的CV曲线;

(B)对比各种样品由CV曲线计算出的电容;

(C)为不同电流密度下的恒流放电曲线;

(D)对比各种样品由恒流放电曲线计算出的电容;

(E)为在50 A g−1下的多循环充放电性能。

图5. Ni3S2@Ni∥AC ASC的性能

Ni3S2@Ni∥AC ASC具有优异的电容性能,且能量密度和功率密度优于已报道的硫化镍基ASCs。

(A)为不同扫描速率下的CV曲线;

(B)为根据(A)计算出的电容;

(C)为不同电流强度下的恒流放电曲线;

(D)为根据(C)计算出的电容;

(E)为在10 A g−1下的多循环充放电性能。

(F)为当前工作与其他文献的能量密度vs功率密度曲线的比较图。

图6. Ni3S2@Ni∥AC ASC的数码照片

该设备表现出优异的结构柔韧性(非弹性),及在不同弯曲状态下其电化学性能并无显著差异,而且其输出能量显著,在可穿戴电子设备中的应用潜力巨大。

(A)为半固态(qSS) ASC,蓝色虚线矩形标记为实际工作装置的部分;

(B)为qSS ASC处于弯曲的状态;

(C)为两个ASCs串联供电18个排列模式为“NUS”绿色发光二极管。

【小结】

在这项工作中,作者通过合理地设计两步法,利用2-MI合成自支撑Ni3S2纳米片阵列。该方法显著地提高了材料的电容性能,在50 A g-1的极高电流密度下,体现出了1000 F g−1的可逆容量,并在20000次充放电循环以后并无明显的衰竭。基于这种材料的非对称电容器在1.7 kW kg−1的功率密度下,能量密度达到了202 W h kg−1。通过以目前的研究为例,我们对未来高性能电极材料的设计提供了一个合理的方向。

参考文献

(1) Chen, J. S.; Guan, C.; Gui, Y.; Blackwood, D. J. Rational Design of Self-Supported Ni3S2 Nanosheets Array for Advanced Asymmetric Supercapacitor with a Superior Energy Density. ACS Appl. Mater. Interfaces. 2017, 9, 496−504

(2) Simon, P.; Gogotsi, Y.; Dunn, B. Where Do Batteries End and Supercapacitors Begin? Science 2014, 343, 1210−1211.

(3) Simon, P.; Gogotsi, Y. Materials for Electrochemical Capacitors. Nat. Mater. 2008, 7, 845−854.

(4) Arico, A. S.; Bruce, P.; Scrosati, B.; Tarascon, J.-M.; van Schalkwijk, W. Nanostructured Materials for Advanced Energy Conversion and Storage Devices. Nat. Mater. 2005, 4, 366−377.

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