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话题:半导体

结果数:91
科技
荧光材料加速超快光脉冲
LoswimM • 
【概要】被称为分子聚集体的二维材料是非常高效的发光体,其工作原理与典型的有机发光二极管(OLED)或量子点不同,然而它们...
导读
Phys. Rev. Lett.:单层WSe2中束缚激子的缺陷结构
叶岚山 • 
单层直接带隙半导体过渡金属二硫属化物(TMD)MX2(M=Mo,W;X=S,Se)在电子学、光电子学以及能谷电子学等领域引起了广泛关注。然而,典型的TMD场效应晶体管器件在没有掺杂时主要表现为n型或p型,与完美晶体结构相矛盾,并且载流子迁移率远低于理论值。此外,光致发光光谱不仅可以表征出强激子效应,其发光效率远低于对直接带隙半导体的预期,且可在光禁带区域出现一个宽的缺陷活性峰。因此,结构缺陷对单层TMD的光电性能具有很大的影响。目前,大多数单层TMD为n型掺杂,但WSe2表现为p型掺杂。这种p型掺杂结合其他TMD材料可形成p-n结平面异质结构。由于价带上较大的自旋轨道分裂和自旋-能谷的锁定,p型掺杂的能谷相干时间可长至1-10 ns,而n型掺杂一般只有10 ps左右。此外,单层WSe2冷却至~10K以下时,其缺陷中束缚激子的发光行为表现为单量子发光点(SQEs),这可应用于量子信息处理。然而,当前对单层WSe2中缺陷的原子和电子结构的研究尚不清楚。
科技
氟给白石墨烯注入新活力
LoswimM • 
概要: Rice大学的研究人员将普通绝缘体转变为磁性半导体,六方氮化硼(一种普通绝缘体)的氟化将会使其变成磁性半导体,这...