中国科学院半导体研究所游经碧Nat. Commun.: 溶剂控制生长研制出转换效率高达15.7%的CsPbI3全无机钙钛矿电池


【引言】

短短几年内,有机—无机杂化钙钛矿电池的光电转换效率已经从3.8% 跃升至目前的22.7%,但是由于有机离子易挥发易分解等问题,严重影响器件的稳定性,制约着其进一步发展。相比之下,无机钙钛矿因其优异的热稳定性成为研究者们的关注热点,其中CsPbI3具有1.73eV的带隙,非常适合与窄带隙钙钛矿或硅制备高效串联太阳能电池。已有研究表明,在潮湿条件下CsPbI3的α相(黑相)会转变为非光敏δ相(黄相),使器件性能严重恶化。生长出稳定的黑相CsPbI3,制备高效率太阳能电池的工作已有大量报道,如Br部分取代I制备CsPbI2Br或CsPbIBr2钙钛矿,B位元素掺杂的方式等,使得无机钙钛矿的光电转换效率已经超过13%。在本研究中,作者采用简单的溶剂控制生长的方法(SCG)制备了高质量稳定的黑相CsPbI3薄膜,最终得到的器件光电转换效率高达15.7%,为目前已知的无机钙钛矿电池的最高效率。

【成果简介】

近日,中国科学院半导体研究所游经碧研究员(通讯作者)博士生王鹏阳(第一作者)等人使用溶剂控制生长的方法(SCG)制备了高质量的CsPbI3薄膜,组装得到的器件光电转换效率达15.7%,美国Newport权威机构认证效率为14.67%,此外,器件持续光照500h,效率无衰减。相关成果以题为“Solvent-controlled growth of inorganic perovskite films in dry environment for efficient and stable solar cells”发表在Nat.Commun.上。

【图文导读】

图一 CsPbI3钙钛矿薄膜SCG方法制备工艺及表征

(a) SCG方法制备CsPbI3钙钛矿薄膜工艺;
(b) CsPbI3前驱体薄膜归一化吸收光谱;
(c) CsPbI3前驱体薄膜XRD;
(d)~(f) CsPbI3前驱体和薄膜的SEM。

图二 干燥氮气环境下CsPbI3相稳定性测试

(a) CsPbI3薄膜(0天、7天)XRD;
(b) CsPbI3薄膜(0天、7天)吸收光谱;
(c) CsPbI3薄膜(0天、7天、60天)照片。

图三 CsPbI3无机钙钛矿电池器件性能表征

(a) 器件J-V性能曲线;
(b) 最佳器件的正反扫J-V性能曲线;
(c) 器件EQE以及积分电流;
(d) 电池效率分布图。

图四 CsPbI3无机钙钛矿电池器件光稳

(a) 持续一个太阳光(100mW/cm2)光照下器件光稳测试;
(b) 不同光照时间,器件J-V性能曲线。

【小结】

研究人员采用简单的SCG方法制备了高质量的CsPbI3钙钛矿薄膜,器件效率为目前所知无机钙钛矿电池效率之最,且光照500 h,器件效率无衰减。此外,该课题组将SCG方法应用于CsPbI2Br、CsPb(I0.85Br0.15)3、CsPbBr3无机钙钛矿电池制备中,分别获得14.21%、16.14%和9.81%的光电转换效率。未来将有望通过控制接触界面和缺陷,使CsPbI3钙钛矿电池的Voc达到1.3 V,实现效率突破20%。

文献链接:Solvent-controlled growth of inorganic perovskite films in dry environment for efficient and stable solar cells(Nature.Commun.2018, DOI: 10.1038/s41467-018-04636-4)

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